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DTD133HKT146 Specificazioni tecniche

TRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductors / Pre-Biased BJT Transistors
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Mount Surface Mount
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Transistor Element Material SILICON
Published 2002
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC 50V
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Pin Count 3
Qualification Status Not Qualified
Polarity NPN
Transistor Application SWITCHING
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Transition Frequency 200MHz
hFE Min 56
Resistor - Emitter Base (R2) 10 k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 59
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 3
Terminal Finish Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 3
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Max Power Dissipation 200mW
Terminal Form GULL WING
Current Rating 500mA
Base Part Number DTD133
JESD-30 Code R-PDSO-G3
Number of Elements 1
Element Configuration Single
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Max Collector Current 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Frequency - Transition 200MHz
Resistor - Base (R1) 3.3 k Ω
VCEsat-Max 0.3 V
Lead Free Lead Free
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DTD133HKT146 Ducumenti

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Altri includenu   "DTD13"   parti

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Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
DTD133HKT146 LAPIS Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 2704

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