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IMD10AT108 Specificazioni tecniche
TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.3W SMT6
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductors / BJT Transistors Arrays |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | SC-74, SOT-457 |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e1 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | TIN SILVER COPPER |
Min Operating Temperature | -55°C |
HTS Code | 8541.21.00.75 |
Max Power Dissipation | 300mW |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
Pin Count | 6 |
Max Output Current | 500mA |
Number of Elements | 2 |
Element Configuration | Dual |
Transistor Application | SWITCHING |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 300mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 1mA 5V / 68 @ 100mA 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 1mA, 10mA / 300mV @ 5mA, 100mA |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA 500mA |
Collector Emitter Saturation Voltage | 300mV |
Frequency - Transition | 250MHz 200MHz |
hFE Min | 100 |
Continuous Collector Current | -500mA |
Height | 1.1mm |
Width | 1.6mm |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Contact Plating | Copper, Silver, Tin |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 74 |
Published | 2005 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Max Operating Temperature | 150°C |
Additional Feature | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10 |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signals |
Terminal Form | GULL WING |
Current Rating | 100mA |
Base Part Number | MD10A |
JESD-30 Code | R-PDSO-G6 |
Operating Supply Voltage | 50V |
Polarity | NPN, PNP |
Power Dissipation | 300mW |
Transistor Type | 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Max Collector Current | 500mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 500nA |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 50V |
Transition Frequency | 250MHz |
Max Breakdown Voltage | 50V |
Emitter Base Voltage (VEBO) | 5V |
Resistor - Base (R1) | 10k Ω, 100 Ω |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10k Ω |
Length | 2.9mm |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
IMD10AT108 Ducumenti
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Datasheets
Altri includenu "IMD10" parti
I seguenti parti includenu 'IMD10'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
IMD10060 | Red Lion Controls | Panel Meters | 2639 |
IMD10160 | Red Lion Controls | Panel Meters | 2535 |
IMD10162 | Red Lion Controls | Panel Meters | 2685 |
IMD10A | ROHM | Specialized Hot ICs | 27007 |
IMD10A T108 | ROHM | Specialized Hot ICs | 65540 |
IMD10A-T108 | ROHM | Specialized Hot ICs | 3262 |
IMD10AMT1G | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased | 2596 |
IMD10AMT1G | ON Semiconductor | BJT Transistors Arrays | |
IMD10AT108 | LAPIS Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased | 83889 |
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