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RGTV60TS65DGC11 Specificazioni tecniche

650V 30A FIELD STOP TRENCH IGBT

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductors / Single IGBTs
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 17 Weeks
Package / Case TO-247-3
Transistor Element Material SILICON
Part Status Active
Number of Terminations 3
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
JESD-30 Code R-PSFM-T3
Configuration SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Power - Max 194W
Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Turn On Time 45 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.9V @ 15V, 30A
IGBT Type Trench Field Stop
Current - Collector Pulsed (Icm) 120A
Switching Energy 570μJ (on), 500μJ (off)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Through Hole
Surface Mount NO
Operating Temperature -40°C~175°C TJ
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Terminal Position SINGLE
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Number of Elements 1
Input Type Standard
Transistor Application POWER CONTROL
Reverse Recovery Time 95ns
Current - Collector (Ic) (Max) 60A
Test Condition 400V, 30A, 10 Ω, 15V
Turn Off Time-Nom (toff) 201 ns
Gate Charge 64nC
Td (on/off) @ 25°C 33ns/105ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
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RGTV60TS65DGC11 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per RGTV60TS65DGC11

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Altri includenu   "RGTV6"   parti

I seguenti parti includenu  'RGTV6' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
RGTV60TK65DGVC11 LAPIS Semiconductor Transistors - IGBTs - Single 2568
RGTV60TK65DGVC11 ROHM Semiconductor Single IGBTs
RGTV60TK65GVC11 LAPIS Semiconductor Transistors - IGBTs - Single 2526
RGTV60TK65GVC11 ROHM Semiconductor Single IGBTs
RGTV60TS65DGC11 LAPIS Semiconductor Transistors - IGBTs - Single 2699
RGTV60TS65GC11 LAPIS Semiconductor Transistors - IGBTs - Single 450
RGTV60TS65GC11 ROHM Semiconductor Single IGBTs

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