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UMH9NFHATN Specificazioni tecniche

NPN+NPN DIGITAL TRANSISTOR (CORR

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductors / BJT Transistors Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Package / Case 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Number of Pins 6
Packaging Tape & Reel (TR)
Part Status Active
Number of Terminations 6
Additional Feature BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO 4.7
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED
Number of Elements 2
Power - Max 150mW
Polarity/Channel Type NPN
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Frequency - Transition 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Surface Mount YES
Transistor Element Material SILICON
Series Automotive, AEC-Q101
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Terminal Form GULL WING
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Transition Frequency 250MHz
Resistor - Base (R1) 10k Ω
REACH SVHC Unknown
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UMH9NFHATN Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per UMH9NFHATN

  • Datasheets

Altri includenu   "UMH9N"   parti

I seguenti parti includenu  'UMH9N' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
UMH9N Original Specialized Hot ICs 12425
UMH9N H9 Original Specialized Hot ICs 2909
UMH9N TN LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 2400
UMH9N-TN ROHM Specialized Hot ICs 2675
UMH9NFHA LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 150000
UMH9NTN LAPIS Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased 5462
UMH9NTN ROHM Semiconductor BJT Transistors Arrays

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