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VT6Z1T2R Specificazioni tecniche
TRANS NPN/PNP 20V 0.2A 6VMT
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductors / Arrays BJT Transistors |
Manufacturer | ROHM Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Factory Lead Time | 13 Weeks |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 6 |
Operating Temperature | 150°C TJ |
Published | 2016 |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Subcategory | BIP General Purpose Small Signal |
Terminal Position | DUAL |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Pin Count | 6 |
Configuration | SEPARATE, 2 ELEMENTS |
Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Type | NPN, PNP |
Max Collector Current | 200mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100μA ICBO |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 20V |
Frequency - Transition | 400MHz |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | 6-SMD |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
JESD-609 Code | e2 |
Part Status | Active |
Number of Terminations | 6 |
Terminal Finish | TIN COPPER |
Max Power Dissipation | 150mW |
Terminal Form | FLAT |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 10 |
Number of Elements | 2 |
Power - Max | 150mW |
Polarity/Channel Type | NPN AND PNP |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 300mV |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 10mA, 100mA |
Transition Frequency | 400MHz |
Collector Base Voltage (VCBO) | 20V |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
VT6Z1T2R Ducumenti
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Datasheets
Altri includenu "VT6Z1" parti
I seguenti parti includenu 'VT6Z1'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
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VT6Z1T2R | LAPIS Semiconductor | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays | 2798 |
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