VT6Z1T2R Specificazioni tecniche

TRANS NPN/PNP 20V 0.2A 6VMT

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductors / Arrays BJT Transistors
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 13 Weeks
Mounting Type Surface Mount
Number of Pins 6
Operating Temperature 150°C TJ
Published 2016
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Subcategory BIP General Purpose Small Signal
Terminal Position DUAL
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
Pin Count 6
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS
Transistor Application SWITCHING
Transistor Type NPN, PNP
Max Collector Current 200mA
Current - Collector Cutoff (Max) 100μA ICBO
Collector Emitter Breakdown Voltage 20V
Frequency - Transition 400MHz
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Package / Case 6-SMD
Transistor Element Material SILICON
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e2
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN COPPER
Max Power Dissipation 150mW
Terminal Form FLAT
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 2
Power - Max 150mW
Polarity/Channel Type NPN AND PNP
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA 2V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 10mA, 100mA
Transition Frequency 400MHz
Collector Base Voltage (VCBO) 20V
RoHS Status ROHS3 Compliant
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VT6Z1T2R LAPIS Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays 2798

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