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STB30NM60N Specificazioni tecniche
MOSFET N-CH 600V 25A D2PAK
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer | STMicroelectronics |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | D2PAK |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130 mOhm @ 12.5A, 10V |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2700pF @ 50V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 600V |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Series | MDmesh™ II |
Power Dissipation (Max) | 190W (Tc) |
Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 91nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 25A (Tc) |
STB30NM60N Ducumenti
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-
Datasheets
STB30NM60N.pdf
Altri includenu "STB30" parti
I seguenti parti includenu 'STB30'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
STB300NH02L | STMicroelectronics | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2700 |
STB30100CTR | Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions | Diodes - Rectifiers - Arrays | 2505 |
STB30100TR | Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions | Diodes - Rectifiers - Single | 2616 |
STB30150CTR | Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions | Diodes - Rectifiers - Arrays | 2630 |
STB3015L | ST | Specialized Hot ICs | 22407 |
STB30200CTR | Sensitron Semiconductor / SMC Diode Solutions | Diodes - Rectifiers - Arrays | 2583 |
STB3020L | ST | Specialized Hot ICs | 444 |
STB3020LT4 | ST/ | Specialized Hot ICs | 653 |
STB3055L2 | VBsemi | Specialized Hot ICs | 10439 |
STB3055L2 TO220 | VBsemi | Specialized Hot ICs | 10511 |
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