STF28N65M2 Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 650V 20A TO220FP

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series MDmesh™ M2
Power Dissipation (Max) 30W (Tc)
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 650V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±25V
Supplier Device Package TO-220FP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 10A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1440pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 20A (Tc)
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STF28N65M2 Ducumenti

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STF28N60DM2 STMicroelectronics Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2761
STF28N60M2 STMicroelectronics Transistors - FETs, MOSFETs - Single 7463
STF28N60M2 MOS ST Specialized Hot ICs 1289
STF28NM50N STMicroelectronics Transistors - FETs, MOSFETs - Single 12524
STF28NM60ND STMicroelectronics Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2718

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