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STP3HNK90Z Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 800V 3A TO-220

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer STMicroelectronics
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package TO-220AB
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.2 Ohm @ 1.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 690pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series SuperMESH™
Power Dissipation (Max) 90W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3A (Tc)
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