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GCMX003A120S7B1 Specificazioni tecniche

QSiC™ 1200V SiC Half-Bridge Module

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / SiC Power Module
Manufacturer SemiQ
Factory Lead Time 3 Weeks
Package S7 Half Bridge
RDS,on 3.0 mΩ
Tj,max 175°C
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
VDS 1200 V
ID (TC=25C) 529A
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GCMX003A120S7B1 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per GCMX003A120S7B1

Altri includenu   "GCMX0"   parti

I seguenti parti includenu  'GCMX0' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
GCMX005A120B3B1P SemiQ SiC Power Module 46532
GCMX005A120S7B1 SemiQ SiC Power Module
GCMX010A120B2B1P SemiQ SiC Power Module
GCMX010A120B3B1P SemiQ SiC Power Module 36950
GCMX010A120B3H1P SemiQ SiC Power Module 42001
GCMX020A120B2B1P SemiQ SiC Power Module 44122
GCMX020A120B2H1P SemiQ SiC Power Module 35874
GCMX020A120B3H1P SemiQ SiC Power Module 41200
GCMX020B120S1-E1 SemiQ SiC Power Module 45231
GCMX040A120B2H1P SemiQ SiC Power Module 41125

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