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GP3D030A120B Specificazioni tecniche

1200V | 30A SiC Schottky Diode

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / SiC Diode Modules
Manufacturer SemiQ
Factory Lead Time 3 Weeks
Package TO-247-2L
QC 159nC
Tj,max 175 °C
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
VDC 1200 V
IF 30A
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GP3D030A120B Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per GP3D030A120B

Altri includenu   "GP3D0"   parti

I seguenti parti includenu  'GP3D0' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
GP3D005A170B SemiQ SiC Diode Modules 35411
GP3D006A065A SemiQ SiC Diode Modules 30140
GP3D006A065F SemiQ SiC Diode Modules 32140
GP3D008A065A SemiQ SiC Diode Modules 12400
GP3D008A065D SemiQ SiC Diode Modules 31441
GP3D008A065F SemiQ SiC Diode Modules 33410
GP3D010A065A SemiQ SiC Diode Modules 24111
GP3D010A065B SemiQ SiC Diode Modules 66441
GP3D010A065D SemiQ SiC Diode Modules 36442
GP3D010A120A SemiQ SiC Diode Modules 21410

I clienti anu vistu ancu

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