2SC2235-O,F(J Specificazioni tecniche

TRANS NPN 800MA 120V TO226-3

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Single
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 120V
Transistor Type NPN
Power - Max 900mW
Package / Case TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type Through Hole
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 100mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 800mA
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 1V @ 50mA, 500mA
Supplier Device Package TO-92MOD
Packaging Bulk
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 120MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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2SC2235-O,F(J Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per 2SC2235-O,F(J

Altri includenu   "2SC22"   parti

I seguenti parti includenu  '2SC22' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
2SC2207 HIT Specialized Hot ICs 474
2SC2216 Original Specialized Hot ICs 6146
2SC2216-Y Toshiba Semiconductor and Storage Specialized Hot ICs 462
2SC2222H PANJIT Specialized Hot ICs 88219
2SC2223 CJ Specialized Hot ICs 185095
2SC2223 F14 SK Specialized Hot ICs 6260
2SC2223-T1 NEC Specialized Hot ICs 17250
2SC2223-T1-A Original Specialized Hot ICs 2713
2SC2223-T1B RENES Specialized Hot ICs 5444
2SC2223-T1B F12 NEC Specialized Hot ICs 3241

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