GT10G131(TE12L,Q) Specificazioni tecniche

IGBT 400V 1W 8-SOIC

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - IGBTs - Single
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 400V
Test Condition -
Switching Energy -
Power - Max 1W
Package / Case 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type Surface Mount
IGBT Type -
Current - Collector (Ic) (Max) -
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 4V, 200A
Td (on/off) @ 25°C 3.1µs/2µs
Supplier Device Package 8-SOP (5.5x6.0)
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Type Standard
Current - Collector Pulsed (Icm) 200A
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GT10G131(TE12L,Q) Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per GT10G131(TE12L,Q)

Altri includenu   "GT10G"   parti

I seguenti parti includenu  'GT10G' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
GT10G101 TOSHIBA Specialized Hot ICs 2559
GT10G102 Toshiba Semiconductor and Storage Specialized Hot ICs 4543
GT10G131 Toshiba Semiconductor and Storage Specialized Hot ICs 3241

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GT10G131(TE12L,Q) i pruduttori di marca: Toshiba Semiconductor and Storage, Bonchip stock, GT10G131(TE12L,Q) prezzu di riferimentu. GT10G131(TE12L,Q) paràmetri, GT10G131(TE12L,Q) Scaricate a scheda di dati PDF è a descrizzione di pin diagram.Pudete aduprà GT10G131(TE12L,Q) Connettori Pluggable, DSP Datasheet PDF, truvà GT10G131(TE12L,Q) diagramma di pin è schema di circuitu è u metudu di usu di a funzione, GT10G131(TE12L,Q) tutoriali elettronichi.Pudete scaricà da u Bonchip.
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