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HN1B04F(TE85L,F) Specificazioni tecniche

TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 30V
Transistor Type NPN, PNP
Power - Max 300mW
Package / Case SC-74, SOT-457
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 100mA, 1V
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 10mA, 100mA
Supplier Device Package SM6
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
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HN1B04F(TE85L,F) Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per HN1B04F(TE85L,F)

Altri includenu   "HN1B0"   parti

I seguenti parti includenu  'HN1B0' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
HN1B01F-GR TOSHIBA Specialized Hot ICs 4022
HN1B01F-GR TE85L TOSHIBA Specialized Hot ICs 6439
HN1B01F-GR(T5L TOS Specialized Hot ICs 3500
HN1B01F-GR(T5L ,T) Toshiba Semiconductor and Storage Specialized Hot ICs 3000
HN1B01F-GR(T5L,T) TOS Specialized Hot ICs 3000
HN1B01F-GR(TE85L) TOSHIBA Specialized Hot ICs 3520
HN1B01F-GR(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays 2698
HN1B01F-Y TOSHIBA Specialized Hot ICs 2246
HN1B01F-Y TE85L TOSHIBA Specialized Hot ICs 18500
HN1B01FDW1 ON Specialized Hot ICs 6705

I clienti anu vistu ancu

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