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RN1971TE85LF
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RN1971TE85LF Specificazioni tecniche
TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased |
Manufacturer | Toshiba Semiconductor and Storage |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) | - |
Power - Max | 200mW |
Package / Case | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Frequency - Transition | 250MHz |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA (ICBO) |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Supplier Device Package | US6 |
Resistor - Base (R1) (Ohms) | 10k |
Packaging | Tape & Reel (TR) |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
RN1971TE85LF Ducumenti
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Datasheets
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Altri includenu "RN197" parti
I seguenti parti includenu 'RN197'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
RN1970(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased | 2745 |
RN1970FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased | 2685 |
RN1970FS | TOSHIBA | Specialized Hot ICs | 8500 |
RN1970FS(TPL3) | TOSHABI | Specialized Hot ICs | 9300 |
RN1971 | TOSHIBA | Specialized Hot ICs | 3362 |
RN1971FE | TOSHIBA | Specialized Hot ICs | 148000 |
RN1971FE(TE85L | Toshiba Semiconductor and Storage | Specialized Hot ICs | 7863 |
RN1971FE(TE85L,F) | Toshiba Semiconductor and Storage | Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased | 2661 |
RN1971FS | Toshiba Semiconductor and Storage | Specialized Hot ICs | 9422 |
RN1972FS | Toshiba Semiconductor and Storage | Specialized Hot ICs | 1600 |
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