RN1971TE85LF Specificazioni tecniche

TRANS 2NPN PREBIAS 0.2W US6

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) -
Power - Max 200mW
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package US6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 10k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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RN1971TE85LF Ducumenti

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Altri includenu   "RN197"   parti

I seguenti parti includenu  'RN197' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
RN1970(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased 2745
RN1970FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased 2685
RN1970FS TOSHIBA Specialized Hot ICs 8500
RN1970FS(TPL3) TOSHABI Specialized Hot ICs 9300
RN1971 TOSHIBA Specialized Hot ICs 3362
RN1971FE TOSHIBA Specialized Hot ICs 148000
RN1971FE(TE85L Toshiba Semiconductor and Storage Specialized Hot ICs 7863
RN1971FE(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased 2661
RN1971FS Toshiba Semiconductor and Storage Specialized Hot ICs 9422
RN1972FS Toshiba Semiconductor and Storage Specialized Hot ICs 1600

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