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RN2504(TE85L,F) Specificazioni tecniche

TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 300mW
Package / Case SC-74A, SOT-753
Frequency - Transition 200MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA
Supplier Device Package SMV
Resistor - Base (R1) (Ohms) 47k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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RN2504(TE85L,F) Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per RN2504(TE85L,F)

Altri includenu   "RN250"   parti

I seguenti parti includenu  'RN250' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
RN2501 TOSHIBA Specialized Hot ICs 6000
RN2501(TE85L TOS Specialized Hot ICs 3500
RN2501(TE85L ,F) Toshiba Semiconductor and Storage Specialized Hot ICs 3000
RN2501(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage Specialized Hot ICs 3624
RN2501(TE85L,F) TOSHIBA Specialized Hot ICs 6000
RN2501(TE85LF) TOS Specialized Hot ICs 6500
RN2502 TOSHIBA Specialized Hot ICs 2607
RN2502(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased 12500
RN2503 TOSHIBA Specialized Hot ICs 93256
RN2503(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased 2594

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