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RN4908,LF(CT Specificazioni tecniche

PNP + NPN BRT Q1BSR10KOHM Q1BER4

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductors / BJT Transistors Arrays
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 12 Weeks
Package / Case 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Part Status Active
Power - Max 200mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 10mA 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 250μA, 5mA
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
Resistor - Base (R1) 22k Ω
RoHS Status Non-RoHS Compliant
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mounting Type Surface Mount
Packaging Tape & Reel (TR)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Transistor Type 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequency - Transition 200MHz 250MHz
Resistor - Emitter Base (R2) 47k Ω
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RN4908,LF(CT Ducumenti

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  • Datasheets

Altri includenu   "RN490"   parti

I seguenti parti includenu  'RN490' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
RN4901 TOSHIBA Specialized Hot ICs 66284
RN4901(T5L,F,T) Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased 2505
RN4901(T5LND ,F) Toshiba Semiconductor and Storage Specialized Hot ICs 1500
RN4901(T5LNDF) TOS Specialized Hot ICs 1500
RN4901,LF Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased 2750
RN4901,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased 2521
RN4901FE TOSHIBA Specialized Hot ICs 7100
RN4901FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage BJT Transistors Arrays
RN4902 TOSHIB Specialized Hot ICs 56667
RN4902(TE85L) Toshiba Semiconductor and Storage Specialized Hot ICs 6000

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