TK8P60W,RVQ Specificazioni tecniche

MOSFET N CH 600V 8A DPAK

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3.7V @ 400µA
Supplier Device Package DPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs 500 mOhm @ 4A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 570pF @ 300V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series DTMOSIV
Power Dissipation (Max) 80W (Tc)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 18.5nC @ 10V
FET Feature Super Junction
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 8A (Ta)
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TK8P60W,RVQ Ducumenti

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Altri includenu   "TK8P6"   parti

I seguenti parti includenu  'TK8P6' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
TK8P60V TOS Specialized Hot ICs 12297
TK8P60V ,RVQ Toshiba Semiconductor and Storage Specialized Hot ICs 1618
TK8P60V IC Toshiba Semiconductor and Storage Specialized Hot ICs 676
TK8P60V,RVQ TOSHIBA Specialized Hot ICs 2761
TK8P60V,RVQ(S Toshiba Semiconductor and Storage Specialized Hot ICs 164
TK8P60V,RVQ(S) TOS Specialized Hot ICs 53900
TK8P60V.RVQ TOSHIBA Specialized Hot ICs 2747
TK8P60W TOSHIBA Specialized Hot ICs 1654
TK8P60W TK8P60W5 Toshiba Semiconductor and Storage Specialized Hot ICs 1912
TK8P60W,RVQ(S TOSHIBA Specialized Hot ICs 2755

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