TPC8109(TE12L) Specificazioni tecniche

MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOP

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Toshiba Semiconductor and Storage
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Supplier Device Package 8-SOP (5.5x6.0)
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 10A (Ta)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Original-Reel®
Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2260pF @ 10V
FET Type P-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
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Altri includenu   "TPC81"   parti

I seguenti parti includenu  'TPC81' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
TPC8102 TOSHIBA Specialized Hot ICs 19977
TPC8102 TE12L TOSHIBA Specialized Hot ICs 579
TPC8102(T2LASAW) TOSHIBA Specialized Hot ICs 3000
TPC8102(TE12L) TOSHIBA Specialized Hot ICs 6054
TPC8102-H TOSHIBA Specialized Hot ICs 3360
TPC8102. TOS Specialized Hot ICs 2883
TPC8103 T Specialized Hot ICs 19660
TPC8103(TE12L) TOSHIBA Specialized Hot ICs 1142
TPC8103-H TOSHIBA Specialized Hot ICs 3497
TPC8103-TE12L TOSHIBA Specialized Hot ICs 843

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