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GBLA10-M3/51 Specificazioni tecniche

BRIDGE RECT 4A GPP 1000V GBL

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Diodes - Bridge Rectifiers
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Peak Reverse (Max) 1000V
Technology Standard
Packaging Tray
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Diode Type Single Phase
Current - Average Rectified (Io) 4A
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 4A
Supplier Device Package GBL
Package / Case 4-SIP, GBL
Mounting Type Through Hole
Current - Reverse Leakage @ Vr 5µA @ 1000V
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GBLA10-M3/51 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per GBLA10-M3/51

Altri includenu   "GBLA1"   parti

I seguenti parti includenu  'GBLA1' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
GBLA10 D2G TSC (Taiwan Semiconductor) Diodes - Bridge Rectifiers 2740
GBLA10 D2G Taiwan Semiconductor Corporation Bridge Rectifiers
GBLA10-E3/45 Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodes - Bridge Rectifiers 2581
GBLA10-E3/45 Electro-Films (EFI) / Vishay Diodes - Bridge Rectifiers 2642
GBLA10-E3/45 Vishay Semiconductor Diodes Division Bridge Rectifiers
GBLA10-E3/51 Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodes - Bridge Rectifiers 2743
GBLA10-E3/51 Electro-Films (EFI) / Vishay Diodes - Bridge Rectifiers 2789
GBLA10-E3/51 Vishay Semiconductor Diodes Division Bridge Rectifiers
GBLA10-M3/51 Electro-Films (EFI) / Vishay Diodes - Bridge Rectifiers 0
GBLA10-M3/51 Vishay Semiconductor Diodes Division Bridge Rectifiers

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