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VS-8EWS12S-M3 Specificazioni tecniche

DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO252AA

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Diodes - Rectifiers - Single
Manufacturer Vishay / Semiconductor - Diodes Division
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1.1V @ 8A
Supplier Device Package D-PAK (TO-252AA)
Packaging Tube
Operating Temperature - Junction -55°C ~ 150°C
Diode Type Standard
Current - Average Rectified (Io) 8A
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 1200V (1.2kV)
Speed Fast Recovery = 200mA (Io)
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Current - Reverse Leakage @ Vr 50µA @ 1200V
Capacitance @ Vr, F -
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VS-8EWS12S-M3 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per VS-8EWS12S-M3

Altri includenu   "VS-8E"   parti

I seguenti parti includenu  'VS-8E' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
VS-8E2TH06 IC Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 20254
VS-8E2TX06-M VISHAY Specialized Hot ICs 891
VS-8ETH03-1-M3 Electro-Films (EFI) / Vishay Diodes - Rectifiers - Single 2642
VS-8ETH03-1PBF Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodes - Rectifiers - Single 2703
VS-8ETH03-M3 Electro-Films (EFI) / Vishay Diodes - Rectifiers - Single 2695
VS-8ETH03-N3 Electro-Films (EFI) / Vishay Diodes - Rectifiers - Single 2562
VS-8ETH03-N3 Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodes - Rectifiers - Single 2617
VS-8ETH03-N3 Vishay Semiconductor Diodes Division Single-Phase Diode Rectifier
VS-8ETH03PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Diodes - Rectifiers - Single 0
VS-8ETH03PBF Vishay / Semiconductor - Diodes Division Diodes - Rectifiers - Single 2740

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