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IRFD9120 Specificazioni tecniche
MOSFET P-CH 100V 1A 4-DIP
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Power Dissipation (Max) | 1.3W (Ta) |
Package / Case | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 18nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 1A (Ta) |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 600mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 390pF @ 25V |
FET Type | P-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
IRFD9120 Ducumenti
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-
Datasheets
IRFD9120.pdf
Altri includenu "IRFD9" parti
I seguenti parti includenu 'IRFD9'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
IRFD9010 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2657 |
IRFD9010 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2551 |
IRFD9010 MOS | IR | Specialized Hot ICs | 695 |
IRFD9010PBF | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2648 |
IRFD9010PBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2620 |
IRFD9010PBF | Vishay Siliconix | Single MOSFETs Transistors | |
IRFD9012 | IR | Specialized Hot ICs | 25798 |
IRFD9014 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 3748 |
IRFD9014 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2378 |
IRFD9014PBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 3242 |
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