IRFS9N60ATRL Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 600V 9.2A D2PAK

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package D2PAK
Power Dissipation (Max) 170W (Tc)
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 49nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.2A (Tc)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 750 mOhm @ 5.5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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IRFS9533 VB Specialized Hot ICs 33363
IRFS9540 Original Specialized Hot ICs 32363
IRFS9543 Original Specialized Hot ICs 32363
IRFS9620 SEC Specialized Hot ICs 29732
IRFS9623 Original Specialized Hot ICs 32363
IRFS9630 Original Specialized Hot ICs 32363
IRFS9631 Original Specialized Hot ICs 32363
IRFS9632 Original Specialized Hot ICs 32363

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