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SI1062X-T1-GE3 Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 20V SC-89

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 220mW (Ta)
Package / Case SC-89, SOT-490
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2.7nC @ 8V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package SC-89-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 500mA, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 43pF @ 10V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C -
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SI1062X-T1-GE3 Ducumenti

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Altri includenu   "SI106"   parti

I seguenti parti includenu  'SI106' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SI1060-A-GM Energy Micro (Silicon Labs) RF Transceiver ICs 5428
SI1060-A-GM Silicon Labs RF Transceiver ICs
SI1060-A-GMR Energy Micro (Silicon Labs) RF Transceiver ICs 2783
SI1060-A-GMR Silicon Labs RF Transceiver ICs
SI1061-A-GM Energy Micro (Silicon Labs) RF Transceiver ICs 2728
SI1061-A-GM Silicon Labs RF Transceiver ICs
SI1061-A-GMR Energy Micro (Silicon Labs) RF Transceiver ICs 2708
SI1061-A-GMR Silicon Labs RF Transceiver ICs
SI1062-A-GM Energy Micro (Silicon Labs) RF Transceiver ICs 2698
SI1062-A-GM Silicon Labs RF Transceiver ICs

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