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SI3454CDV-T1-GE3 Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 30V 4.2A 6TSOP

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device Package 6-TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs 50 mOhm @ 3.8A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 305pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.25W (Ta), 1.5W (Tc)
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10.6nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.2A (Tc)
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SI3454CDV-T1-GE3 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per SI3454CDV-T1-GE3

Altri includenu   "SI345"   parti

I seguenti parti includenu  'SI345' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SI3450-GM SILICON Specialized Hot ICs 2587
SI3451DV-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 23912
SI3451DV-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 39422
SI3451DV-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 16362
SI3451DV-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 3429
SI3452-B01-GM Energy Micro (Silicon Labs) PMIC - Power Over Ethernet (PoE) Controllers 2611
SI3452-B01-GM Silicon Labs PoE Controllers
SI3452-B01-IM Energy Micro (Silicon Labs) PMIC - Power Over Ethernet (PoE) Controllers 2660
SI3452-B01-IM Silicon Labs PoE Controllers
SI3452-B02-GM Energy Micro (Silicon Labs) PMIC - Power Over Ethernet (PoE) Controllers 2321

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