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SI4850EY-T1-GE3 Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 60V 6A 8-SOIC

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.7W (Ta)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 27nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 22 mOhm @ 6A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds -
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 6A (Ta)
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SI4850EY-T1-GE3 Ducumenti

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Altri includenu   "SI485"   parti

I seguenti parti includenu  'SI485' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SI4850 VISHAY Specialized Hot ICs 2701
SI4850BDY Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 772
SI4850BDY-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2773
SI4850DY VISHAY Specialized Hot ICs 1295
SI4850DY-T1-E3 V Specialized Hot ICs 29770
SI4850DY-T1-Y3 VISHAY Specialized Hot ICs 3000
SI4850EY VISHAY Specialized Hot ICs 5419
SI4850EY-E3 Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 5255
SI4850EY-T1 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2528
SI4850EY-T1 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2657

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