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SI4866BDY-T1-E3 Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 2.5W (Ta), 4.45W (Tc)
Package / Case 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 80nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 12V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package 8-SO
Rds On (Max) @ Id, Vgs 5.3 mOhm @ 12A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 5020pF @ 6V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 21.5A (Tc)
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Altri includenu   "SI486"   parti

I seguenti parti includenu  'SI486' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SI4860DY VISHAY Specialized Hot ICs 862
SI4860DY-T1 Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 5364
SI4860DY-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 65823
SI4860DY-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 65823
SI4860DY-T1-E3 Vishay Siliconix Single MOSFETs Transistors
SI4860DY-T1-E3 IC Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 7996
SI4860DY-T1-E3 MOS VBSEMI Specialized Hot ICs 18864
SI4860DY-T1-E3. VISHAY Specialized Hot ICs 5000
SI4860DY-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 3094
SI4860DY-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 80343

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