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SI5480DU-T1-GE3 Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 30V 12A PPAK CHIPFET

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® ChipFet Single
Rds On (Max) @ Id, Vgs 16 mOhm @ 7.2A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 1230pF @ 15V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 31W (Tc)
Package / Case PowerPAK® ChipFET™ Single
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Tc)
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SI5480DU-T1-GE3 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per SI5480DU-T1-GE3

Altri includenu   "SI548"   parti

I seguenti parti includenu  'SI548' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SI5480DU VISHAY Specialized Hot ICs 15288
SI5480DU-T1 VISHAY Specialized Hot ICs 2059
SI5480DU-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2662
SI5480DU-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2683
SI5480DU-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2682
SI5480DU-TI-GE3 VISHAY Specialized Hot ICs 1058
SI5481DU-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2723
SI5481DU-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2766
SI5481DU-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2683
SI5481DU-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2738

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