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SI7100DN-T1-GE3 Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 8V 35A PPAK 1212-8

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.5 mOhm @ 15A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -50°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3810pF @ 4V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 8V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 3.8W (Ta), 52W (Tc)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 105nC @ 8V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 35A (Tc)
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SI7100DN-T1-GE3 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per SI7100DN-T1-GE3

Altri includenu   "SI710"   parti

I seguenti parti includenu  'SI710' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SI7100DN SI Specialized Hot ICs 2609
SI7100DN-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 4778
SI7100DN-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 5337
SI7100DN-T1-E3 MOS Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 1561
SI7100DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 32931
SI7100DN-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 7615
SI7100EDN-T1-GE3 Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 5642
SI7101DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 3510
SI7101DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 3760
SI7101DN-T1-GE3 Vishay Siliconix Single MOSFETs Transistors

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