SIHG30N60E-GE3 Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 600V 29A TO247AC

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Supplier Device Package TO-247AC
Power Dissipation (Max) 250W (Tc)
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 130nC @ 10V
FET Feature -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 29A (Tc)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 15A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2600pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
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I seguenti parti includenu  'SIHG3' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SiHG30N60AEL MOS Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 151377
SIHG30N60AEL-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2681
SIHG30N60E VISHAY Specialized Hot ICs 2931
SIHG30N60E-E3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2535
SIHG30N60E-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 0
SIHG30N60E-E3 Vishay Siliconix Single MOSFETs Transistors
SIHG30N60E-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 963
SIHG30N60E-GE3 Vishay Siliconix Single MOSFETs Transistors
SIHG30N60E-GE3 IC Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 512
SIHG32N50D G32N50D Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 685

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