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SIHP5N50D-E3 Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220AB

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5 Ohm @ 2.5A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 100V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 5.3A (Tc)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-220AB
Power Dissipation (Max) 104W (Tc)
Package / Case TO-220-3
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
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SIHP5N50D-E3 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per SIHP5N50D-E3

Altri includenu   "SIHP5"   parti

I seguenti parti includenu  'SIHP5' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SIHP5N50D-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 5211
SIHP5N50D-E3 Vishay Siliconix Single MOSFETs Transistors
SIHP5N50D-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2596
SIHP5N50D-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2782
SIHP5N50D-GE3 Vishay Siliconix Single MOSFETs Transistors

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