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SQJQ906EL-T1_GE3 Specificazioni tecniche

MOSFET ARRAY 2N-CH 40V PWRPAK8X8

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 2.5V @ 250µA
Series Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Power - Max 187W
Package / Case PowerPAK® 8 x 8 Dual
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 45nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 160A (Tc)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package PowerPAK® 8 x 8 Dual
Rds On (Max) @ Id, Vgs 4.3 mOhm @ 5A, 10V
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 3238pF @ 20V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
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SQJQ906EL-T1_GE3 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per SQJQ906EL-T1_GE3

Altri includenu   "SQJQ9"   parti

I seguenti parti includenu  'SQJQ9' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SQJQ900E-T1_GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2503
SQJQ900E-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2672
SQJQ900E-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistors Arrays
SQJQ904E-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2532
SQJQ904E-T1_GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2626
SQJQ904E-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistors Arrays
SQJQ906E-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2638
SQJQ906E-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistors Arrays
SQJQ906EL-T1_GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2635
SQJQ906EL-T1_GE3 Vishay Siliconix MOSFETs Transistors Arrays

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