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HGT1S10N120BNS Specificazioni tecniche

IGBT 1200V 35A 298W TO263AB

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - IGBTs - Single
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Test Condition 960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 320µJ (on), 800µJ (off)
Power - Max 298W
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 100nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 80A
Base Part Number HGT1S10N120
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 10A
Td (on/off) @ 25°C 23ns/165ns
Supplier Device Package TO-263AB
Packaging Tube
Other Names HGT1S10N120BNS-ND HGT1S10N120BNSFS
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type NPT
Detailed Description IGBT NPT 1200V 35A 298W Surface Mount TO-263AB
Current - Collector (Ic) (Max) 35A
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HGT1S10N120BNS Ducumenti

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Altri includenu   "HGT1S"   parti

I seguenti parti includenu  'HGT1S' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
HGT1S10N120BNS Fairchild/ON Semiconductor Transistors - IGBTs - Single 1180
HGT1S10N120BNS ON Semiconductor Single IGBTs
HGT1S10N120BNST AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - IGBTs - Single 3181
HGT1S10N120BNST Fairchild/ON Semiconductor Transistors - IGBTs - Single 5213
HGT1S10N120BNST ON Semiconductor Single IGBTs
HGT1S10N120BNST##QQQQQQQQ AMI Semiconductor / ON Semiconductor Specialized Hot ICs 647
HGT1S12N60A4DS AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - IGBTs - Single 2995
HGT1S12N60A4DS Fairchild/ON Semiconductor Transistors - IGBTs - Single 578
HGT1S12N60A4DS ON Semiconductor Single IGBTs
HGT1S12N60A4S9A AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - IGBTs - Single 2687

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