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HGT1S12N60A4DS
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HGT1S12N60A4DS Specificazioni tecniche
HGT1S12N60A4DS datasheet pdf and Transistors - IGBTs - Single product details from ON Semiconductor stock available at Bonchip
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductors / Single IGBTs |
Manufacturer | ON Semiconductor |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Lifecycle Status | ACTIVE, NOT REC (Last Updated: 1 day ago) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Pins | 3 |
Transistor Element Material | SILICON |
Packaging | Tube |
Pbfree Code | yes |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
ECCN Code | EAR99 |
Additional Feature | LOW CONDUCTION LOSS |
Max Power Dissipation | 167W |
Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Base Part Number | HGT1S12N60 |
Number of Elements | 1 |
Power Dissipation | 167W |
Input Type | Standard |
Transistor Application | POWER CONTROL |
Turn-Off Delay Time | 96 μs |
Max Collector Current | 54A |
Collector Emitter Breakdown Voltage | 600V |
Turn On Time | 33 ns |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 12A |
Gate Charge | 78nC |
Td (on/off) @ 25°C | 17ns/96ns |
Radiation Hardening | No |
Lead Free | Lead Free |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Mount | Surface Mount |
Package / Case | TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Weight | 1.31247g |
Operating Temperature | -55°C~150°C TJ |
JESD-609 Code | e3 |
Part Status | Not For New Designs |
Number of Terminations | 2 |
Terminal Finish | Tin (Sn) |
HTS Code | 8541.29.00.95 |
Terminal Form | GULL WING |
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
Element Configuration | Single |
Case Connection | COLLECTOR |
Turn On Delay Time | 17 μs |
Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Collector Emitter Voltage (VCEO) | 600V |
Reverse Recovery Time | 30ns |
Collector Emitter Saturation Voltage | 2.7V |
Test Condition | 390V, 12A, 10 Ω, 15V |
Turn Off Time-Nom (toff) | 180 ns |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 96A |
Switching Energy | 55μJ (on), 50μJ (off) |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
HGT1S12N60A4DS Ducumenti
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-
Datasheets
Altri includenu "HGT1S" parti
I seguenti parti includenu 'HGT1S'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
HGT1S10N120BNS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - IGBTs - Single | 3141 |
HGT1S10N120BNS | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - IGBTs - Single | 1180 |
HGT1S10N120BNS | ON Semiconductor | Single IGBTs | |
HGT1S10N120BNST | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - IGBTs - Single | 3181 |
HGT1S10N120BNST | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - IGBTs - Single | 5213 |
HGT1S10N120BNST | ON Semiconductor | Single IGBTs | |
HGT1S10N120BNST##QQQQQQQQ | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Specialized Hot ICs | 647 |
HGT1S12N60A4DS | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - IGBTs - Single | 2995 |
HGT1S12N60A4DS | Fairchild/ON Semiconductor | Transistors - IGBTs - Single | 578 |
HGT1S12N60A4S9A | AMI Semiconductor / ON Semiconductor | Transistors - IGBTs - Single | 2687 |
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