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NSBA123JF3T5G Specificazioni tecniche

TRANS PREBIAS PNP 254MW SOT1123

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type PNP - Pre-Biased
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 254mW
Package / Case SOT-1123
Frequency - Transition -
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Supplier Device Package SOT-1123
Resistor - Base (R1) (Ohms) 2.2k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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NSBA123JF3T5G Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per NSBA123JF3T5G

Altri includenu   "NSBA1"   parti

I seguenti parti includenu  'NSBA1' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
NSBA113EDXV6T1 AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased 2561
NSBA113EDXV6T1 ON Semiconductor BJT Transistors Arrays
NSBA113EDXV6T1 Rochester Electronics, LLC BJT Transistors Arrays
NSBA113EDXV6T1G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased 2743
NSBA113EDXV6T1G ON Semiconductor BJT Transistors Arrays
NSBA113EF3T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased 2635
NSBA113EF3T5G ON Semiconductor Pre-Biased BJT Transistors
NSBA114EDP6T5G AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased 6222
NSBA114EDP6T5G ON Semiconductor BJT Transistors Arrays
NSBA114EDXV6T1 ON Specialized Hot ICs 5048

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