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EPC2029ENGRT Specificazioni tecniche
TRANS GAN 80V 31A BUMPED DIE
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer | EPC |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.5V @ 12mA |
Supplier Device Package | Die |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.2 mOhm @ 30A, 5V |
Packaging | Original-Reel® |
Operating Temperature | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 40V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 80V |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | GaNFET (Gallium Nitride) |
Series | eGaN® |
Power Dissipation (Max) | - |
Package / Case | Die |
Mounting Type | Surface Mount |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 13nC @ 5V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 31A (Ta) |
EPC2029ENGRT Ducumenti
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-
Datasheets
EPC2029ENGRT.pdf
Altri includenu "EPC20" parti
I seguenti parti includenu 'EPC20'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
EPC200-CSP5 | ESPROS Photonics AG | Photodiodes | |
EPC2001 | EPC | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2785 |
EPC2001C | EPC | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 5487 |
EPC2007 | EPC | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2672 |
EPC2007C | EPC | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2545 |
EPC2010 | EPC | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2733 |
EPC2010C | EPC | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2207 |
EPC2010CENGR | EPC | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2654 |
EPC2012 | EPC | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2711 |
EPC2012C | EPC | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2759 |
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