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IRFD214 Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 250V 450MA 4-DIP

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 270mA, 10V
Packaging Tube
Other Names *IRFD214
Mounting Type Through Hole
Manufacturer Standard Lead Time 6 Weeks
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 140pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Detailed Description N-Channel 250V 450mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Package / Case 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Lead Free Status / RoHS Status Contains lead / RoHS non-compliant
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 450mA (Ta)
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IRFD214 Ducumenti

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Altri includenu   "IRFD2"   parti

I seguenti parti includenu  'IRFD2' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
IRFD210 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 3761
IRFD210 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 3761
IRFD210PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 6926
IRFD210PBF Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 5059
IRFD210PBF Vishay Siliconix Single MOSFETs Transistors
IRFD210PBF MOS Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 1341
IRFD210PBF. IR Specialized Hot ICs 81
IRFD213 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 17722
IRFD213 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 14807
IRFD214 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2592

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