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IRFD210 Specificazioni tecniche
MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single |
Manufacturer | Vishay / Siliconix |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Supplier Device Package | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Power Dissipation (Max) | 1W (Ta) |
Package / Case | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 8.2nC @ 10V |
FET Feature | - |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 600mA (Ta) |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5 Ohm @ 360mA, 10V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 140pF @ 25V |
FET Type | N-Channel |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
IRFD210 Ducumenti
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-
Datasheets
IRFD210.pdf
Altri includenu "IRFD2" parti
I seguenti parti includenu 'IRFD2'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
IRFD210 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 3761 |
IRFD210PBF | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 6926 |
IRFD210PBF | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 5059 |
IRFD210PBF | Vishay Siliconix | Single MOSFETs Transistors | |
IRFD210PBF MOS | Vishay Precision Group | Specialized Hot ICs | 1341 |
IRFD210PBF. | IR | Specialized Hot ICs | 81 |
IRFD213 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 17722 |
IRFD213 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 14807 |
IRFD214 | Vishay / Siliconix | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2592 |
IRFD214 | Electro-Films (EFI) / Vishay | Transistors - FETs, MOSFETs - Single | 2696 |
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