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SI7107DN-T1-E3 Specificazioni tecniche

MOSFET P-CH 20V 9.8A 1212-8

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Electro-Films (EFI) / Vishay
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 450µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series TrenchFET®
Power Dissipation (Max) 1.5W (Ta)
Package / Case PowerPAK® 1212-8
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44nC @ 4.5V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9.8A (Ta)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±8V
Supplier Device Package PowerPAK® 1212-8
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.8 mOhm @ 15.3A, 4.5V
Packaging Tape & Reel (TR)
Other Names SI7107DN-T1-E3TR SI7107DNT1E3
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
FET Type P-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Detailed Description P-Channel 20V 9.8A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
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Altri includenu   "SI710"   parti

I seguenti parti includenu  'SI710' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
SI7100DN SI Specialized Hot ICs 2609
SI7100DN-T1-E3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 4778
SI7100DN-T1-E3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 5337
SI7100DN-T1-E3 MOS Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 1561
SI7100DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 32931
SI7100DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 10575
SI7100DN-T1-GE3 MOS Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 7615
SI7100EDN-T1-GE3 Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 5642
SI7101DN-T1-GE3 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 3510
SI7101DN-T1-GE3 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 3760

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