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IXFT18N100Q3 Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 1000V 18A TO-268

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 6.5V @ 4mA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Series HiPerFET™
Power Dissipation (Max) 830W (Tc)
Package / Case TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Mounting Type Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 90nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±30V
Supplier Device Package TO-268
Rds On (Max) @ Id, Vgs 660 mOhm @ 9A, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4890pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 18A (Tc)
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IXFT18N100Q3 Ducumenti

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Altri includenu   "IXFT1"   parti

I seguenti parti includenu  'IXFT1' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
IXFT100N30X3HV IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2571
IXFT10N100 IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Single 32365
IXFT120N15P IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Single 52363
IXFT120N25X3HV IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Single 90
IXFT120N30X3HV IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2608
IXFT12N100 IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Single 32365
IXFT12N100F IXYS RF Transistors - FETs, MOSFETs - Single 32363
IXFT12N100F IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Single 32363
IXFT12N100Q IXYS Corporation Transistors - FETs, MOSFETs - Single 32429
IXFT12N50F IXYS Specialized Hot ICs 5865

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