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IMB2AT110 Specificazioni tecniche

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Manufacturer LAPIS Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) 47k
Power - Max 300mW
Package / Case SC-74, SOT-457
Frequency - Transition 250MHz
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 500µA, 10mA
Supplier Device Package SMT6
Resistor - Base (R1) (Ohms) 47k
Packaging Tape & Reel (TR)
Mounting Type Surface Mount
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector (Ic) (Max) 100mA
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Altri includenu   "IMB2A"   parti

I seguenti parti includenu  'IMB2A' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
IMB2A ROHM Specialized Hot ICs 2790
IMB2A T110 LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 3171
IMB2AT110 ROHM Semiconductor BJT Transistors Arrays

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