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IMB2AT110 Specificazioni tecniche

TRANS PREBIAS DUAL PNP SMT6

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductors / BJT Transistors Arrays
Manufacturer ROHM Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Factory Lead Time 7 Weeks
Package / Case SMD/SMT
Packaging Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code e1
Part Status Active
Number of Terminations 6
Terminal Finish TIN SILVER COPPER
Min Operating Temperature -55°C
HTS Code 8541.21.00.75
Voltage - Rated DC -50V
Terminal Form GULL WING
Current Rating -30mA
Pin Count 6
Polarity PNP
Power Dissipation 300mW
Collector Emitter Voltage (VCEO) 300mV
Collector Emitter Breakdown Voltage 50V
Max Breakdown Voltage 50V
DC Current Gain-Min (hFE) 68
VCEsat-Max 0.3 V
RoHS Status ROHS3 Compliant
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Mount Surface Mount
Number of Pins 6
Published 2004
Pbfree Code yes
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
ECCN Code EAR99
Max Operating Temperature 150°C
Additional Feature BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
Subcategory BIP General Purpose Small Signals
Max Power Dissipation 300mW
Peak Reflow Temperature (Cel) 260
[email protected] Reflow Temperature-Max (s) 10
Number of Elements 2
Element Configuration Dual
Transistor Application SWITCHING
Max Collector Current 100mA
Transition Frequency 250MHz
hFE Min 68
Continuous Collector Current -100mA
Radiation Hardening No
Lead Free Lead Free
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IMB2AT110 Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per IMB2AT110

  • Datasheets

Altri includenu   "IMB2A"   parti

I seguenti parti includenu  'IMB2A' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
IMB2A ROHM Specialized Hot ICs 2790
IMB2A T110 LAPIS Semiconductor Specialized Hot ICs 3171
IMB2AT110 LAPIS Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - Arrays, Pre-Biased 30345

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