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APTM50DSK10T3G Specificazioni tecniche

MOSFET 2N-CH 500V 37A SP3

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 1mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 18.5A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 4367pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Dual)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SP3
Power - Max 312W
Package / Case SP3
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 96nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 37A
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APTM50DSK10T3G Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per APTM50DSK10T3G

Altri includenu   "APTM5"   parti

I seguenti parti includenu  'APTM5' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
APTM50A15FT1G Microsemi Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2753
APTM50A15FT1G Microsemi Corporation MOSFETs Transistors Arrays
APTM50AM17F MICROSEM IGBT Modules 1253
APTM50AM17FG Microsemi Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2607
APTM50AM17FG Microsemi Corporation MOSFETs Transistors Arrays
APTM50AM19FG Microsemi Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2562
APTM50AM19FG Microsemi Corporation MOSFETs Transistors Arrays
APTM50AM19STG Microsemi Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2706
APTM50AM19STG Microsemi Corporation MOSFETs Transistors Arrays
APTM50AM24SCG Microsemi Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2664

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