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APTM50AM17FG Specificazioni tecniche

MOSFET 2N-CH 500V 180A SP6

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Manufacturer Microsemi
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 10mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 20 mOhm @ 90A, 10V
Packaging Bulk
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 28000pF @ 25V
FET Type 2 N-Channel (Half Bridge)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500V
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Supplier Device Package SP6
Power - Max 1250W
Package / Case SP6
Mounting Type Chassis Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 560nC @ 10V
FET Feature Standard
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 180A
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APTM50AM17FG Ducumenti

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Altri includenu   "APTM5"   parti

I seguenti parti includenu  'APTM5' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
APTM50A15FT1G Microsemi Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2753
APTM50A15FT1G Microsemi Corporation MOSFETs Transistors Arrays
APTM50AM17F MICROSEM IGBT Modules 1253
APTM50AM17FG Microsemi Corporation MOSFETs Transistors Arrays
APTM50AM19FG Microsemi Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2562
APTM50AM19FG Microsemi Corporation MOSFETs Transistors Arrays
APTM50AM19STG Microsemi Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2706
APTM50AM19STG Microsemi Corporation MOSFETs Transistors Arrays
APTM50AM24SCG Microsemi Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays 2664
APTM50AM24SCG Microsemi Corporation MOSFETs Transistors Arrays

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