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2N3635UB Specificazioni tecniche
TRANS PNP 140V 1A
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - Single |
Manufacturer | Microsemi |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 140V |
Transistor Type | PNP |
Power - Max | 1.5W |
Package / Case | 3-SMD, No Lead |
Mounting Type | Surface Mount |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 50mA, 10V |
Current - Collector (Ic) (Max) | 1A |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 600mV @ 5mA, 50mA |
Supplier Device Package | 3-SMD |
Packaging | Bulk |
Operating Temperature | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Frequency - Transition | - |
Current - Collector Cutoff (Max) | 10µA |
2N3635UB Ducumenti
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-
Datasheets
2N3635UB.pdf
Altri includenu "2N363" parti
I seguenti parti includenu '2N363'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
2N3634 | Microsemi | Transistors - Bipolar (BJT) - Single | 2596 |
2N3634L | Microsemi | Transistors - Bipolar (BJT) - Single | 2697 |
2N3634UB | Microsemi | Transistors - Bipolar (BJT) - Single | 2594 |
2N3634UB | Microsemi Corporation | Single BJT Transistors | |
2N3635 | Microsemi | Transistors - Bipolar (BJT) - Single | 5246 |
2N3635 | Microsemi Corporation | Single BJT Transistors | |
2N3635L | Microsemi | Transistors - Bipolar (BJT) - Single | 2519 |
2N3635UB | Microsemi Corporation | Single BJT Transistors | |
2N3636 | Microsemi | Transistors - Bipolar (BJT) - Single | 352 |
2N3636L | Microsemi | Transistors - Bipolar (BJT) - Single | 2613 |
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