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ALD1101BPAL Specificazioni tecniche
MOSFET 2N-CH 10.6V 8DIP
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays |
Manufacturer | Advanced Linear Devices, Inc. |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 10µA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 75 Ohm @ 5V |
Packaging | Tube |
Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TJ) |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | - |
FET Type | 2 N-Channel (Dual) Matched Pair |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 10.6V |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Supplier Device Package | 8-PDIP |
Power - Max | 500mW |
Package / Case | 8-DIP (0.300", 7.62mm) |
Mounting Type | Through Hole |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
FET Feature | Standard |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | - |
ALD1101BPAL Ducumenti
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-
Datasheets
ALD1101BPAL.pdf
Altri includenu "ALD11" parti
I seguenti parti includenu 'ALD11'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
ALD1101APAL | Advanced Linear Devices, Inc. | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays | 2523 |
ALD1101APAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFETs Transistors Arrays | |
ALD1101ASAL | Advanced Linear Devices, Inc. | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays | 2733 |
ALD1101ASAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFETs Transistors Arrays | |
ALD1101BPAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFETs Transistors Arrays | |
ALD1101BSAL | Advanced Linear Devices, Inc. | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays | 2781 |
ALD1101BSAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFETs Transistors Arrays | |
ALD1101PAL | Advanced Linear Devices, Inc. | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays | 2576 |
ALD1101PAL | Advanced Linear Devices Inc. | MOSFETs Transistors Arrays | |
ALD1101SAL | Advanced Linear Devices, Inc. | Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays | 2705 |
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