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BLD6G21L-50,112 Specificazioni tecniche
RF FET LDMOS 65V 14.5DB SOT1130A
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Category | Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - RF |
Manufacturer | Ampleon |
Factory Lead Time | 3 Weeks |
Voltage - Test | 28V |
Transistor Type | LDMOS (Dual), Common Source |
Power - Output | 8W |
Package / Case | SOT-1130A |
Gain | 14.5dB |
Current Rating | 10.2A |
Attributu di u produttu | Valore di l'attributu |
---|---|
Part Status | Active |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Pbfree Code | yes |
Voltage - Rated | 65V |
Supplier Device Package | CDFM4 |
Packaging | Tube |
Noise Figure | - |
Frequency | 2.02GHz |
Current - Test | 170mA |
BLD6G21L-50,112 Ducumenti
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-
Datasheets
BLD6G21L-50,112.pdf
Altri includenu "BLD6G" parti
I seguenti parti includenu 'BLD6G'
Parte # | U fabricatore | categuria | Disponibilità |
---|---|---|---|
BLD6G21L-50 | NXP Semiconductors / Freescale | Specialized Hot ICs | 19 |
BLD6G21L-50,112 | Ampleon USA Inc. | RF MOSFETs Transistors | |
BLD6G21L-50,112 | Rochester Electronics, LLC | RF MOSFETs Transistors | |
BLD6G21LS-50 | NXP Semiconductors / Freescale | Specialized Hot ICs | 1 |
BLD6G21LS-50,112 | Ampleon | Transistors - FETs, MOSFETs - RF | 2565 |
BLD6G21LS-50,112 | Ampleon USA Inc. | RF MOSFETs Transistors | |
BLD6G22L-150BN | NXP | Specialized Hot ICs | 2510 |
BLD6G22L-150BN/2 | NXP | Specialized Hot ICs | 1437 |
BLD6G22L-50,112 | Ampleon | Transistors - FETs, MOSFETs - RF | 2755 |
BLD6G22L-50,112 | Ampleon USA Inc. | RF MOSFETs Transistors |
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