EC4H09C-TL-H Specificazioni tecniche

TRANS NPN 3.5V 40MA ECSP1008-4

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - Bipolar (BJT) - RF
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 3.5V
Supplier Device Package 4-ECSP1008
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount
Frequency - Transition 26GHz
Current - Collector (Ic) (Max) 40mA
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Transistor Type NPN
Power - Max 120mW
Package / Case 4-UFDFN
Noise Figure (dB Typ @ f) 1.3dB @ 2GHz
Gain 15dB
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 5mA, 1V
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Altri includenu   "EC4H0"   parti

I seguenti parti includenu  'EC4H0' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
EC4H07C Sanyo Semiconductor Specialized Hot ICs 10480
EC4H07C-TL Sanyo Semiconductor Specialized Hot ICs 13410
EC4H08C-TL-H AMI Semiconductor / ON Semiconductor Transistors - Bipolar (BJT) - RF 10000
EC4H08C-TL-H ON Semiconductor RF BJT Transistors
EC4H08C-TL-H Rochester Electronics, LLC RF BJT Transistors
EC4H09C-TL-H ON Semiconductor RF BJT Transistors
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