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HGTD3N60C3S9A Specificazioni tecniche

IGBT 600V 6A 33W TO252AA

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - IGBTs - Single
Manufacturer AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Test Condition 480V, 3A, 82 Ohm, 15V
Switching Energy 85µJ (on), 245µJ (off)
Power - Max 33W
Package / Case TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type Surface Mount
Lead Free Status / RoHS Status Lead free / RoHS Compliant
IGBT Type -
Detailed Description IGBT 600V 6A 33W Surface Mount TO-252AA
Current - Collector (Ic) (Max) 6A
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 3A
Td (on/off) @ 25°C -
Supplier Device Package TO-252AA
Packaging Tape & Reel (TR)
Operating Temperature -40°C ~ 150°C (TJ)
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Input Type Standard
Gate Charge 10.8nC
Current - Collector Pulsed (Icm) 24A
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HGTD3N60C3S9A Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per HGTD3N60C3S9A

Altri includenu   "HGTD3"   parti

I seguenti parti includenu  'HGTD3' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
HGTD3N60C3S INTERSIL Specialized Hot ICs 848
HGTD3N60C3S9A Fairchild/ON Semiconductor Transistors - IGBTs - Single 2694
HGTD3N60C3S9A Rochester Electronics, LLC Single IGBTs
HGTD3N60C3S9A ON Semiconductor Single IGBTs

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