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IRFD110PBF Specificazioni tecniche

MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Manufacturer Vishay / Siliconix
Factory Lead Time 3 Weeks
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 540 mOhm @ 600mA, 10V
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 180pF @ 25V
FET Type N-Channel
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Ta)
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vgs (Max) ±20V
Supplier Device Package 4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Power Dissipation (Max) 1.3W (Ta)
Package / Case 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type Through Hole
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.3nC @ 10V
FET Feature -
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
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IRFD110PBF Ducumenti

Scaricate e schede tecniche è a documentazione di u fabricatore per IRFD110PBF

Altri includenu   "IRFD1"   parti

I seguenti parti includenu  'IRFD1' 

Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
IRFD110 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 6574
IRFD110 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 379
IRFD110PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 5720
IRFD110PBF Vishay Siliconix Single MOSFETs Transistors
IRFD110PBF IC IR Specialized Hot ICs 630
IRFD110PBF MOS Vishay Precision Group Specialized Hot ICs 15733
IRFD113 Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2513
IRFD113 Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2736
IRFD113PBF Electro-Films (EFI) / Vishay Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2760
IRFD113PBF Vishay / Siliconix Transistors - FETs, MOSFETs - Single 2505

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