IXYH30N170C Specificazioni tecniche

1700V/108A HIGH VOLTAGE XPT IGB

Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Category Discrete Semiconductor Products / Transistors - IGBTs - Single
Manufacturer IXYS Corporation
Factory Lead Time 3 Weeks
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Test Condition 850V, 30A, 10 Ohm, 15V
Switching Energy 5.9mJ (on), 3.3mJ (off)
Series XPT™
Packaging Tube
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type Standard
Gate Charge 140nC
Current - Collector (Ic) (Max) 108A
Attributu di u produttu Valore di l'attributu
Part Status Active
RoHS Status ROHS3 Compliant
Pbfree Code yes
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 3.7V @ 15V, 30A
Td (on/off) @ 25°C 28ns/150ns
Supplier Device Package TO-247AD
Power - Max 937W
Package / Case TO-247-3
Mounting Type Through Hole
IGBT Type -
Current - Collector Pulsed (Icm) 255A
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IXYH30N170C Ducumenti

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Parte # U fabricatore categuria Disponibilità
IXYH30N120A4 IXYS Single IGBTs
IXYH30N120B4 IXYS Single IGBTs
IXYH30N120C3 IXYS Corporation Transistors - IGBTs - Single 459
IXYH30N120C3 IXYS Single IGBTs
IXYH30N120C3D1 IXYS Corporation Transistors - IGBTs - Single 464
IXYH30N120C3D1 IXYS Single IGBTs
IXYH30N120C4 IXYS Single IGBTs
IXYH30N170C IXYS Single IGBTs
IXYH30N450HV IXYS Corporation Transistors - IGBTs - Single 2634
IXYH30N450HV IXYS Single IGBTs

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